Proċess tal-Manifattura tal-Karbur tas-Silikon

Minħabba l-kontenut naturali baxx, il-karbur tas-silikon huwa l-aktar magħmul mill-bniedem-. Il-metodu komuni huwa li tħallat ramel tal-kwarz mal-kokk, tuża silika u kokk tal-pitrolju fiha, żid melħ u serratura, poġġih f'forn elettriku, saħħan għal temperatura għolja ta 'madwar 2000 grad, u tikseb mikrotrab tal-karbur tas-silikon wara diversi proċessi kimiċi.

Il-karbur tas-silikon (SiC) huwa abrażiv importanti minħabba l-ebusija kbira tiegħu, iżda l-firxa ta 'applikazzjoni tiegħu taqbeż dik ta' abrażivi ordinarji. Pereżempju, ir-reżistenza għat-temperatura għolja u l-konduttività termali tagħha jagħmluha waħda mill-materjali tal-għamara tal-kalkara preferuti għal fran tal-mina jew fran tax-shuttle, u l-konduttività elettrika tagħha tagħmilha element importanti ta 'tisħin elettriku. Biex tipprepara prodotti tas-SiC, l-ewwel pass huwa li tipprepara blokki tat-tidwib tas-SiC [jew: gerbub tas-SiC, minħabba li fihom C u huma super iebsin, għalhekk il-gerbub tas-SiC darba kienu jissejħu: żmerill. Imma oqgħod attent: għandha kompożizzjoni differenti minn żmerill naturali (granata). Fil-produzzjoni industrijali, blokki tat-tidwib tas-SiC normalment jużaw kwarz, kokk tal-pitrolju, eċċ. bħala materja prima, materjali awżiljarji rkuprati u materjali minfuqa, u huma ppreparati f'ċarġ bi proporzjon raġonevoli u daqs tal-partiċelli adattat permezz ta 'tħin u proċessi oħra (sabiex taġġusta l-permeabilità tal-gass tal-ħlas, huwa meħtieġ li jiżdied ammont xieraq ta' Is-serratura ta 'temperatura xierqa ta' melħ ippreparat billi tipprepara melħ aħdar xieraq billi jipprepara silikon. It-tagħmir termali għall-preparazzjoni tal-blokki tat-tidwib tas-SiC f'temperatura għolja huwa forn elettriku speċjali tal-karbur tas-silikon, u l-istruttura tiegħu tikkonsisti mill-qiegħ tal-forn, il-ħajt tat-tarf b'elettrodi fuq il-wiċċ ta 'ġewwa, il-ħajt tal-ġenb li jista' jinqala ', u l-korp tal-qalba tal-forn (isem sħiħ: korp tat-tisħin enerġizzat fiċ-ċentru tal-forn elettriku, ġeneralment Huwa magħmul minn ċentru tal-petrol graphite installat fil-powkeder jew ċentru tal-petrolegraphite. għal ċertu forma u daqs, ġeneralment ċirkolari jew rettangolari Iż-żewġt itruf tiegħu huma konnessi ma 'elettrodi) eċċ. Il-metodu ta 'l-isparar użat mill-forn elettriku huwa komunement magħruf bħala: sparar ta' trab midfun. Hekk kif jiġi enerġizzat, it-tisħin jibda. It-temperatura tal-korp tal-qalba tal-forn hija madwar 2500 grad, jew saħansitra ogħla (2600-2700 grad). Meta l-ħlas jilħaq 1450 grad, SiC jibda jiġi sintetizzat (iżda SiC huwa ffurmat prinċipalment f'Ikbar minn jew ugwali għal 1800 grad), u CO jiġi rilaxxat. Madankollu, SiC se jiddekomponi meta Akbar minn jew ugwali għal 2600 grad, iżda s-Si dekompost se jifforma SiC b'C fil-ħlas. Kull grupp ta 'fran elettriċi huwa mgħammar b'sett ta' transformers, iżda forn elettriku wieħed biss huwa fornut b'enerġija matul il-produzzjoni, sabiex jaġġusta l-vultaġġ skond il-karatteristiċi tat-tagħbija elettrika biex bażikament iżomm qawwa kostanti. Il-forn elettriku ta 'qawwa għolja jeħtieġ li jissaħħan għal madwar 24 siegħa. Wara perjodu ta 'tkessiħ, il-ħitan tal-ġenb jistgħu jitneħħew, u mbagħad il-ħlas jitneħħa gradwalment.

Il-ħlas wara l-kalċinazzjoni f'temperatura għolja huwa minn barra għal ġewwa: materjal mhux irreaġit (fil-forn għall-preservazzjoni tas-sħana), ossikarbur tas-silikon (materjal semi-reazzjoni, il-komponenti ewlenin huma C u SiO), saff adeżiv (huwa magħqud sewwa ħafna). saff tal-materjal, il-komponenti ewlenin huma C, SiO2, 40%-60% SiC u karbonati ta 'Fe, Al, Ca, Mg), saff amorfu (il-komponent ewlieni huwa 70%-90% SiC, u huwa SiC kubiku Jiġifieri, -sic, il-bqija huma karbonati ta', C, A1O2, C, SiC) saff (il-komponent ewlieni huwa 90% sa 95% SiC, dan is-saff ifforma SiC eżagonali, iżda l-kristall huwa relattivament żgħir. Żgħar, fraġli ħafna, ma jistax jintuża bħala abrażiv), SiC tal-ewwel grad ((kontenut ta 'SiC<96%, and is hexagonal SiC, i.e., a coarse crystal of SiC), furnace core graphite. In the above-mentioned layers, usually untreated The reaction material and a part of the silicon oxycarbide layer material are collected as spent materials, and another part of the silicon oxycarbide layer is collected together with the amorphous material, secondary products, and part of the binder as the return material, while some are tightly bonded and lumpy. The binders with high℃and many impurities are discarded, while the first-grade products are classified, coarsely crushed, finely crushed, chemically treated, dried and sieved, and magnetically separated into black or green SiC particles of various particle sizes. To make silicon carbide micropowder, it has to go through the water selection process; to make silicon carbide products, it has to go through the process of forming and sintering.