Affidabilità tas-Semikondutturi Mtejba Karbur tas-Silikon
Silicon Carbide (SiC) joffri affidabbiltà mtejba għal apparati semikondutturi, li jagħmilha materjal preferut f'applikazzjonijiet eżiġenti.
Deskrizzjoni
Deskrizzjoni
Il-proprjetajiet uniċi tas-SiC jikkontribwixxu għall-affidabbiltà u r-robustezza mtejba tal-komponenti tas-semikondutturi. Affidabbiltà tas-Semikondutturi Mtejba Carbur tas-Silikon.
L-istabbiltà fit-temperatura għolja tas-SiC tippermetti lill-apparati joperaw f'ambjenti ħarxa b'degradazzjoni minima tal-prestazzjoni. L-apparati semikondutturi bbażati fuq SiC jistgħu jifilħu temperaturi elevati mingħajr ma jikkompromettu l-prestazzjoni elettrika u l-lonġevità tagħhom.
Speċifikazzjoni
| Proprjetà | Valur |
|---|---|
| Formula kimika | SiC |
| Struttura tal-kristall | Eżagonali |
| Densità | 3.21 g/ċm³ |
| Punt tat-tidwib | 2,730 grad (4,946 grad F) |
| Ebusija (skala Mohs) | 9.5 |
| Konduttività termali | 120-200 W/m·K |
| Reżistività elettrika | 10⁵-10⁷ Ω·m |
| Koeffiċjent ta' espansjoni termali (CTE) | 4.0-6.0 x 10⁻⁶/grad |
| Temperatura massima operattiva | 1,600-2,800 grad (2,912-5,072 grad F) |
| Modulus ta' Young | 370-700 GPa |
| Proporzjon ta' Poisson | 0.16-0.22 |
| Kostanti dielettriċi | 9.7-10.7 |
| Enerġija bandgap | 2.2-3.3 eV |
| Reżistenza kimika | Reżistenti ħafna għall-aċidi, l-alkali, u l-ossidazzjoni |
| Reżistenza għal xokk termali | Eċċellenti |
| Reżistenza għall-brix | Eċċellenti |
| Ilbes reżistenza | Eċċellenti |
| Stabbiltà f'temperatura għolja | Eċċellenti |
Din il-karatteristika hija partikolarment siewja f'applikazzjonijiet bħall-elettronika tal-karozzi, aerospazjali u tal-enerġija, fejn l-apparati jistgħu jkunu esposti għal kundizzjonijiet ta 'temperatura għolja.
Affidabilità Mtejba tas-Semikondutturi Silicon Carbide.Moreover, SiC juri reżistenza kimika eċċellenti, jipproteġi komponenti semikondutturi minn sustanzi korrużivi u fatturi ambjentali. L-apparati bbażati fuq SiC huma inqas suxxettibbli għal degradazzjoni kkawżata minn reazzjonijiet kimiċi jew espożizzjoni għall-umdità, u jiżguraw affidabbiltà u durabilità fit-tul.
Is-saħħa ta 'kamp elettriku ta' tqassim għoli ta 'SiC u l-kurrenti baxxi ta' tnixxija jikkontribwixxu għall-affidabbiltà mtejba ta 'apparat semikonduttur. L-apparati bbażati fuq SiC jistgħu jimmaniġġjaw vultaġġi ogħla u juru kurrenti ta 'tnixxija aktar baxxi, u jnaqqas ir-riskju ta' tqassim u jtejjeb ir-robustezza ġenerali tal-komponenti.
L-affidabbiltà mtejba ta 'apparati semikondutturi bbażati fuq SiC tissarraf għal ħajja itwal, rekwiżiti ta' manutenzjoni mnaqqsa, u prestazzjoni mtejba tas-sistema f'applikazzjonijiet kritiċi bħall-elettronika tal-enerġija, l-elettronika tal-karozzi.
FAQ
Q: Int kumpanija kummerċjali jew manifattur?
A: aħna manifattur li jinsab fil-Belt ta 'Anyang, Provinċja ta' Henan, iċ-Ċina. Il-klijenti kollha tagħna jiġu mid-dar u barra. Ħerqana għaż-żjara tiegħek.
Q: Kemm huwa twil il-ħin tal-kunsinna tiegħek?
A: Ġeneralment 5-10 jiem jekk il-merkanzija tkun fl-istokk, 15-20 jiem jekk il-merkanzija ma tkunx fl-istokk. Huwa skond il-kwantità ta ' l-ordni.
Q: tipprovdi kampjuni b'xejn?
A: Iva, nistgħu noffru l-kampjun b'xejn, għandek bżonn tħallas biss il-merkanzija.
Ikkuntatjana
It-tags Popolari: affidabilità tas-semikondutturi mtejba karbur tas-silikon
Ibgħat l-inkjesta
Tista 'Tħobb ukoll
