Wafer finta tas-silikonju
l-ippakkjar ta 'wejfers tas-silikon huma ddisinjati bir-reqqa biex jiżguraw li huma ta' kwalità għolja u jistgħu jiġu ttrasportati b'mod sigur u affidabbli lejn id-destinazzjonijiet maħsuba tagħhom.
Deskrizzjoni
Deskrizzjoni
Wejfers monokristallini tipikament ikollhom dijametru ta '125mm jew 156mm u huma madwar 200 mikron ħoxna. Ħafna drabi jinqatgħu b'orjentazzjoni speċifika, bħall-pjani (100) jew (111), skont l-użu maħsub.
Xi wħud mill-karatteristiċi ewlenin tal-wejfers monokristallini jinkludu l-purità għolja tagħhom, l-istruttura uniformi tal-kristall, u d-densità baxxa tad-difetti. Dawn il-karatteristiċi jagħmluhom ideali għall-użu f'apparat elettroniku li jeħtieġ preċiżjoni għolja u affidabilità, bħal mikroproċessuri, ċipep tal-memorja u ċelloli solari.
Speċifikazzjoni
|
Isem tal-Prodott |
Wejfer tas-silikon tat-tip N/P intrinsiku |
|
Daqs |
2/3/4/5/6/8/12 Pulzier |
|
Orjentazzjoni |
100 110 111 |
|
Ħxuna (mm) |
525 plus /-25 μm jew personalizzati |
|
Wiċċ |
polised |
|
Partiċelli |
<30 at 0.3um |
|
reżistenza |
0.001-10000 Ω.cm |
|
Angolu |
30 grad 60 grad 90 grad |
|
Applikazzjoni |
Semikondutturi |
|
Tkabbir |
FZ |
|
Tip |
Tip N u tip P |
|
Grad |
Prim |
Nistgħu personalizzati kull tip ta 'sottostrat ta' trażmissjoni Hig.
1 High purity :SiO2>99.99 fil-mija.
2 Temperatura operattiva: 1250 grad; SoftenTemperature: 1730 grad.
3 Prestazzjoni viżiva u kimika eċċellenti: reżistenza għall-aċidu, reżistenza għall-alkali, Stabbiltà termali tajba
4 Kura tas-saħħa u protezzjoni ambjentali.
5 L-ebda bużżieqa tal-arja u l-ebda linja tal-arja.
6 iżolatur elettriku eċċellenti.
It-tags Popolari: wejfer finta wejfer tas-silikon
Ibgħat l-inkjesta
Tista 'Tħobb ukoll
